机译:使用高注入表面光电压对经受高能(MEV)离子实施的半导体衬底进行无源表征的方法和设备
公开/公告号US6104201A
专利类型
公开/公告日2000-08-15
原文格式PDF
申请/专利号US19980162474
发明设计人 BRIAN SAMUEL BEAMAN;GEORGE FREDERICK WALKER;KEITH EDWARD FOGEL;PAUL ALFRED LAURO;DA-YUAN SHIH;MAURICE HEATHCOTE NORCOTT;
申请日1998-09-28
分类号G01R31/02;
国家 US
入库时间 2022-08-22 01:36:25