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COMPOSITIONS FOR THE STRIPPING OF PHOTORESISTS IN THE FABRICATION OF INTEGRATED CIRCUITS

机译:集成电路制造中用于光致抗蚀剂剥离的组合物

摘要

A photoresist stripping composition, consisting of dimethyl sulfoxide or n-methyl pyrrolidone and 3-methoxy propylamine, is A novel photoresist stripping composition consists of (by wt.) 30-95% dimethyl sulfoxide (DMSO) or n-methyl pyrrolidone (NM and 70-5% 3-methoxy propylamine (MOPA).
机译:一种由二甲基亚砜或正甲基吡咯烷酮和3-甲氧基丙胺组成的光刻胶剥离组合物。一种新颖的光刻胶剥离组合物由(按重量计)30-95%的二甲基亚砜(DMSO)或正甲基吡咯烷酮(NM和70-5%3-甲氧基丙胺(MOPA)。

著录项

  • 公开/公告号IL135565D0

    专利类型

  • 公开/公告日2001-05-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ELF ATOCHEM S.A.;

    申请/专利号IL20000135565

  • 发明设计人

    申请日2000-04-10

  • 分类号7C09DA;

  • 国家 IL

  • 入库时间 2022-08-22 01:24:55

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