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COMPOSITIONS FOR THE STRIPPING OF PHOTORESISTS IN THE FABRICATION OF INTEGRATED CIRCUITS

机译:集成电路制造中用于光致抗蚀剂剥离的组合物

摘要

THE INVENTION RELATES TO A COMPOSITION FOR USE IN THE STRIPPING OF PHOTORESISTS FOR THE FABRICATION OF INTEGRATED CIRCUITS.ACCORDING TO THE INVENTION, THERE IS USED A MIXTURE OF DIMETHYL SULPHOXIDE (DMSO) OR N-METHYLPYRROLIDONE (NMP) AND 3-METHOXYPROPYLAMINE (MOPA). ADVANTAGEOUSLY, A LITTLE WATER AND A CORROSION INHIBITOR, SUCH AS SODIUM TOLYLTRIAZOLATE, ARE ADDED TO THE MIXTURE.
机译:本发明涉及用于制造用于整体电路的光致抗蚀剂剥离的组合物。根据本发明,使用二甲基亚砜(DMSO)或N-甲基吡咯烷酮(NMP)和3-甲基丙基丙胺的混合物。 。有利地,将少量水和腐蚀抑制剂,如甲苯磺酸三甲苯磺酸钠添加到混合物中。

著录项

  • 公开/公告号MY135996A

    专利类型

  • 公开/公告日2008-07-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ELF ATOCHEM S.A.;

    申请/专利号MY2000PI01768

  • 发明设计人 JEAN-PIERRE LALLIER;

    申请日2000-04-25

  • 分类号C11D3/28;C11D3/20;C11D3/30;

  • 国家 MY

  • 入库时间 2022-08-21 20:05:44

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