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COMPOSITIONS FOR THE STRIPPING OF PHOTORESISTS IN THE FABRICATION OF INTEGRATED CIRCUITS

机译:集成电路制造中用于光致抗蚀剂剥离的组合物

摘要

ABSTRACT COMPOSITIONS FOR THE STRIPPING OF PHOTORESISTS IN THEFABRICATION OF INTEGRATED CIRCUITSThe invention relates to a composition for use in the stripping of photoresists for the fabrication of integrated circuits.According to the invention, there is used amixture of dimethyl sulphoxide (DMSO) or N-methylpyrrolidone (NMP) and 3-methoxypropylamine (MOPA). Advantageously, a little water and a corrosion inhibitor,such as sodium, tolyltriazolate, are added to the mixture .Effective stripping is obtained.(Figure 1)
机译:抽象地上光致抗蚀剂剥离的组合物集成电路的制造本发明涉及用于剥离光刻胶以制造集成电路的组合物。根据本发明,使用了二甲亚砜(DMSO)或N-甲基吡咯烷酮(NMP)和3-甲氧基丙胺(MOPA)的混合物。有利地,少量的水和腐蚀抑制剂,将例如甲苯磺酸三甲苯钠等添加到混合物中。获得有效的剥离。(图1)

著录项

  • 公开/公告号SG90132A1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-07-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ELF ATOCHEM S.A.;

    申请/专利号SG20000002277

  • 发明设计人 JEAN-PIERRE LALLIER;

    申请日2000-04-25

  • 分类号G03F7/42;

  • 国家 SG

  • 入库时间 2022-08-22 00:43:10

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