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Annealing process for low-k dielectric film

机译:低介电常数薄膜的退火工艺

摘要

Dielectric films in integrated circuits are annealed in the presence of water to improve their thermal stability and their resistance to damage from ultraviolet radiation.
机译:集成电路中的介电膜在水的存在下退火,以提高其热稳定性和抗紫外线辐射的能力。

著录项

  • 公开/公告号US6296906B1

    专利类型

  • 公开/公告日2001-10-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NOVELLUS SYSTEMS INC.;

    申请/专利号US19990410171

  • 发明设计人 JOE LAIA;AJAY SAPROO;JIM STIMMELL;

    申请日1999-09-30

  • 分类号B05D30/20;H01L213/10;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:03:10

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