首页> 外国专利> SPUTTERING TARGET FOR FORMATION OF OPTICAL LOGGING PROTECTION FILM CAPABLE OF DC SPUTTERING AND LOW IN ABNORMAL DISCHARGE

SPUTTERING TARGET FOR FORMATION OF OPTICAL LOGGING PROTECTION FILM CAPABLE OF DC SPUTTERING AND LOW IN ABNORMAL DISCHARGE

机译:形成直流记录的光学测井保护膜且异常放电量低的溅射靶材

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering target for the formation of an optical logging protection film made of sintered bodies composed of zinc sulfide-silicic and titanic compound oxide-indium oxide, and capable of DC sputtering.;SOLUTION: This sputtering target for the formation of the optical logging protection film capable of DC sputtering and low in abnormal discharge comprises 10-30 mole % silicic and titanic compound oxide, 0.5-30 mole % indium oxide and the balance of zinc sulfide.;COPYRIGHT: (C)2001,JPO
机译:解决的问题:提供一种用于形成光学测井保护膜的溅射靶,该保护膜由烧结体制成,该烧结体由硫化锌-硅和钛的复合氧化物-氧化铟构成,并且能够进行直流溅射。能够进行直流溅射和异常放电率低的光学测井保护膜的形成包括10-30摩尔%的硅和钛的复合氧化物,0.5-30摩尔%的氧化铟和余量的硫化锌。;版权所有:(C)2001 ,日本特许厅

著录项

  • 公开/公告号JP2001316804A

    专利类型

  • 公开/公告日2001-11-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MITSUBISHI MATERIALS CORP;

    申请/专利号JP20000134382

  • 发明设计人 KYO JINKO;MORI AKIRA;ODA JUNICHI;

    申请日2000-05-08

  • 分类号C23C14/34;C04B35/547;C23C14/06;G11B7/26;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 00:56:09

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号