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SPUTTERING TARGET FOR FORMATION OF OPTICAL LOGGING PROTECTION FILM CAPABLE OF DC SPUTTERING

机译:形成直流测井光学测井保护膜的测井靶

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering target for formation of an optical logging protection film which is made of zinc chalcogenide/silicon dioxide/indium oxide- based sintered compact and is capable of DC sputtering.;SOLUTION: This sputtering target comprises 10-30 mol% silicon dioxide, 0.5-30 mol% indium oxide and the balance zinc chalcogenide.;COPYRIGHT: (C)2001,JPO
机译:解决的问题:提供一种用于形成光学测井保护膜的溅射靶,该靶由硫属元素锌/二氧化硅/氧化铟基烧结体制成,并且能够进行直流溅射。解决方案:该溅射靶包含10- 30 mol%的二氧化硅,0.5-30 mol%的氧化铟和余量的硫属元素锌;;版权所有:(C)2001,JPO

著录项

  • 公开/公告号JP2001316805A

    专利类型

  • 公开/公告日2001-11-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MITSUBISHI MATERIALS CORP;

    申请/专利号JP20000134383

  • 发明设计人 KYO JINKO;ODA JUNICHI;

    申请日2000-05-08

  • 分类号C23C14/34;C04B35/547;G11B7/26;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 00:56:08

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