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Method of making field emitters using porous silicon

机译:使用多孔硅制造场致发射器的方法

摘要

A process is provided for forming sharp asperities useful as field emitters. The process comprises patterning and doping a silicon substrate. The doped silicon substrate is anodized. The anodized area is then used for field emission tips. The process of the present invention is also useful for low temperature sharpening of tips fabricated by other methods. The tips are anodized, and then exposed to radiant energy and the resulting oxide is removed.
机译:提供了一种用于形成用作场发射器的尖锐凹凸的方法。该工艺包括图案化和掺杂硅衬底。掺杂的硅衬底被阳极化。然后将阳极氧化的区域用于场发射尖端。本发明的方法还可用于通过其他方法制造的尖端的低温锐化。尖端被阳极化,然后暴露于辐射能,并除去生成的氧化物。

著录项

  • 公开/公告号US2002137242A1

    专利类型

  • 公开/公告日2002-09-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GILTON TERRY L.;

    申请/专利号US20020156284

  • 发明设计人 TERRY L. GILTON;

    申请日2002-05-28

  • 分类号H01L21/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:52:03

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