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Nonvolatile semiconductor memory device having structure storing multivalued data and data storage system comprising the nonvolatile semiconductor memory device

机译:具有存储多值数据的结构的非易失性半导体存储器件以及包括该非易失性半导体存储器件的数据存储系统

摘要

The inventive flash memory comprises a memory cell array including nonvolatile memory cells and a control CPU controlling data writing, reading and erasing in the memory cell array and a multivalued flag part. The multivalued flag part stores a value indicating whether data written in any memory cell is binary data or multivalued data. The data can be read in a binary read sequence for the binary data or a multivalued read sequence for the multivalued data due to the value of the multivalued flag part.
机译:本发明的闪存包括具有非易失性存储单元的存储单元阵列和控制该存储单元阵列中的数据写入,读取和擦除的控制CPU以及多值标志部分。多值标志部分存储指示写入任何存储单元中的数据是二进制数据还是多值数据的值。由于多值标志部分的值,可以按二进制读取顺序读取数据,也可以按多值读取顺序读取数据。

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