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Ballistic electron generating method, ballistic electronic solid state semiconductor element, light emitting element and display device

机译:弹道电子产生方法,弹道电子固态半导体元件,发光元件和显示装置

摘要

A method of generating a ballistic electron with high controllability by applying an electric field to a nanostructured microcrystalline or semi insulating layer of a semiconductor and generating a ballistic electron or a forward ballistic electron by a multiple tunneling effect and providing a practical material configuration Kabushiki Kaisha Toshiba: 6887265 semiconductor device for method of.
机译:一种通过向半导体的纳米结构微晶或半绝缘层施加电场,并通过多重隧穿效应产生弹道电子或正向弹道电子,并提供实用的材料配置,来产生具有高度可控性的弹道电子的方法:6887265用于半导体器件的方法。

著录项

  • 公开/公告号JPWO01/071759A1

    专利类型

  • 公开/公告日2003-07-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 科学技術振興事業団;

    申请/专利号JP特願2001-569842(P2001-569842)

  • 发明设计人 越田 信義;

    申请日2001-03-26

  • 分类号H01J1/312;H01L29/66;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-22 00:22:22

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