要解决的问题:为了容易地设计具有去耦电容器的半导体集成电路元件。解决方案:输入和输出块110布置在用作IC芯片的元件区域中,并且模拟信号电路块120等布置在其中。单位容量单元10a在不属于该区域的未占用区域115内的容量插入区域160等中格子状地布置。在输入输出块110与模拟信号电路块120等之间布置有模拟布线170,并且在容量插入区域160中的单位电容单元10a连接到电源和电源的布线171、172。通过转向导体173、174实现GND电势。此后布置单位单元180,并且布置布线190以进行单位单元间连接并将输入和输出块110连接至存储块140等。容量插入区域160等中的单位容量电池10a通过转向导体连接至电源和GND布线191、192。
版权:(C)2003,日本特许厅
公开/公告号JP2003256489A
专利类型
公开/公告日2003-09-12
原文格式PDF
申请/专利权人 FUJITSU LTD;FUJITSU VLSI LTD;
申请/专利号JP20020057530
发明设计人 SEKIDO YUJI;
申请日2002-03-04
分类号G06F17/50;H01L21/82;H01L21/822;H01L27/04;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 00:21:53