集成电路元件、半导体元件以及半导体工艺

摘要

本发明一实施例提供一种集成电路元件，包括一半导体基板，具有一正面与一背面，且一集成电路组件形成于正面上；一层间介电层，形成于半导体基板的正面上；一接触插塞，形成于层间介电层中并电性连接集成电路组件；以及一导孔结构，形成于层间介电层中并延伸穿过半导体基板，其中导孔结构包括一金属层、围绕金属层的一金属籽晶层、围绕金属籽晶层的一阻障层、以及位于金属层与金属籽晶层之间的一阻挡层，阻挡层包括镁、铁、钴、镍、钛、铬、钽、钨或镉的至少其中之一。本发明可大幅减少镀铜以及后续的研磨工艺所耗费的时间，进而减少三维堆叠的集成电路的制作成本。