要解决的问题:获得特定材料(例如铱)的氧化和还原的临界状态。解决方案:一种获得氧化和还原的临界状态的方法包括加热工艺,该工艺将具有材料层的半导体材料加热到用于蒸汽的反应炉中,该材料层包括在还原状态下表现出催化作用的物质,该物质在还原状态下显示出催化作用。相沉积,以及氧化和还原过程,其以规定的比例将规定的氧化剂和气化的规定的有机溶剂引入反应炉,其中气化的规定的有机溶剂在规定的物质的氧化和还原中用作还原剂。该方法允许获得材料层表面上规定物质的氧化和还原的临界状态。
版权:(C)2003,日本特许厅
公开/公告号JP2003257955A
专利类型
公开/公告日2003-09-12
原文格式PDF
申请/专利权人 FUJITSU LTD;
申请/专利号JP20020056146
发明设计人 YAMAWAKI HIDEKI;
申请日2002-03-01
分类号H01L21/31;C23C16/40;H01L27/105;
国家 JP
入库时间 2022-08-22 00:21:39