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Economic and low thermal budget spacer nitride process

机译:经济和低热预算的间隔氮化物工艺

摘要

An economic and low thermal budget spacer is provided for both the cap oxide and nitride spacer is provided by amido-based silicon precursors such as BTBAS with an oxide to form the cap oxide and with same precursor and ammonia to form the nitride in a single wafer process.
机译:为帽氧化物提供了经济和低热预算的垫片,氮化物垫片由酰胺基硅前驱物(如BTBAS)提供,氧化物与氧化物形成帽氧化物,相同的前体和氨在单个晶片中形成氮化物处理。

著录项

  • 公开/公告号US2003020111A1

    专利类型

  • 公开/公告日2003-01-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 BEVAN MALCOLM J.;

    申请/专利号US20020193332

  • 发明设计人 MALCOLM J. BEVAN;

    申请日2002-07-11

  • 分类号H01L21/336;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 00:08:37

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