高压低热预算高K后退火工艺

摘要

提供了一种制造PMOS器件时嵌入SiGe的方法。可形成多层具有不同Ge含量的SiGe层，以使得从(众)底层向(众)中间层Ge含量增大，而从(众)中间层向(众)顶层Ge含量减小。在一些实施例中，该嵌入式SiGe具有衬底之上的SiGe种子层、该SiGe种子层之上的第一SiGe过渡层、该第一SiGe过渡层之上的SiGe中间层、以及该SiGe中间层之上的第二SiGe过渡层。该第一SiGe过渡层可具有从该第一SiGe过渡层的底部往该第一SiGe过渡层的顶部增大的Ge含量。该第二SiGe过渡层可具有从该第二SiGe过渡层的底部往该第二SiGe过渡层的顶部减小的Ge含量。