高压低热预算高K后退火工艺

摘要

提供了一种通过加入增强型退火工艺来制造高k/金属栅极半导体器件的方法。根据本公开内容的增强型退火工艺可在相对较低的温度和高压下进行，由此可改善k值并修复HK层的上述缺陷。在根据本公开内容的增强型退火工艺下，H+由于高压而能够从氨气中扩散并修复断裂键，同时又由于低温而避免了不利地影响NiSi以及HK层中注入的离子。根据本公开内容的增强型退火工艺在一些实施例中可在300℃到500℃之间在15‑20个大气压的压力下执行15到50分钟。