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Making light-emitting semiconductor chip, deposits buffer layer and adds connecting layer over it, at lower temperature

机译:制作发光半导体芯片,在较低温度下沉积缓冲层并在其上添加连接层

摘要

The buffer layer (2) is deposited onto the substrate (1) at a first temperature. A layer (3) forming part of the connecting semiconductor layer structure (4) is added in the direction of growth, onto the buffer layer. Layer (3) is grown at a lower temperature. An Independent claim is included for the corresponding light-emitting semiconductor chip.
机译:在第一温度下将缓冲层(2)沉积到基板(1)上。形成连接半导体层结构(4)的一部分的层(3)沿生长方向被添加到缓冲层上。层(3)在较低的温度下生长。对于相应的发光半导体芯片包括独立权利要求。

著录项

  • 公开/公告号DE10208766A1

    专利类型

  • 公开/公告日2003-09-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH;

    申请/专利号DE2002108766

  • 发明设计人 HAERLE VOLKER;BOLAY HELMUT;

    申请日2002-02-28

  • 分类号H01L33/00;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 23:42:05

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