较低温度生长的RbOH作为阴极缓冲层的OLED研究

摘要

利用RbOH作为阴极缓冲层制备出基本结构为ITO/NPB/Alq3/RbOH/Al的有机发光器件，并探索了缓冲层的最佳厚度。RbOH的蒸镀温度为300℃左右，比传统典型的阴极缓冲层材料如LiF、CsCO3低很多，因此在蒸镀RbOH时不需要使用高温源，可简化工艺，降低器件制作成本．实验结果表明，在阴极和有机发光层之间插入—层RbOH作为阴极缓冲层能有效地提高器件的亮度和效率，当其厚度为4nm时器件性能表现最优，与未加入缓冲层相比，器件的最大亮度与最大电流效率分别提高了15.5倍和3.6倍。