OLED用三氧化钨缓冲层的研究

稻秀美; 林华平; 杨铭; 张群

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OLED用三氧化钨缓冲层的研究

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采用反应直流磁控溅射法在衬底温度为300℃玻璃基板上制备了掺钨氧化铟(IWO)作为OLED器件的阳极,然后室温条件下在IWO上制备了三氧化钨缓冲层.XRD分析表明三氧化钨为非晶结构.对比测试了有无WO3缓冲层的两种OLED器件,发现带有WO3缓冲层的OLED器件的亮度和功率均是无三氧化钨缓冲层的器件的两倍,而且发光效率最高可以达到对比器件的4倍.从器件能带排列的角度初步讨论分析了提高器件性能的原因.

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来源
《复旦学报：自然科学版》 |2012年第3期|335-339|共5页
作者
稻秀美; 林华平; 杨铭; 张群;
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作者单位

复旦大学材料科学系;

上海大学材料科学系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类单相交流换向器电机;
关键词
三氧化钨; 掺钨氧化铟; 有机电致发光器件; 缓冲层;

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