基于卤化钙作为阴极缓冲层的OLED器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种基于卤化钙作为阴极缓冲层的OLED器件及其制备方法。通过在有机电子传输层和阴极金属之间插入卤化钙，制作基于卤化钙作为阴极缓冲层的OLED器件。本发明通过改善电子的注入能力与传输能力，提高OLED器件的电流效率，降低器件的启亮电压，从而改善了OLED器件发光性能及器件效率。