解决方案:在高真空下将由不同熔点的成分组成的基础层12沉积在基板11上,并且在该化合物的成分中沉积由较高熔点的成分组成的覆盖层13。通过在低于较高熔点的组分的熔点的温度下进行热处理来进行组分的反应,以获得化合物薄膜14。
COPYRIGHT:(C)2004,JPO
公开/公告号JP2004176174A
专利类型
公开/公告日2004-06-24
原文格式PDF
申请/专利号JP20030363818
发明设计人 UCHIYAMA TETSUJI;
申请日2003-10-23
分类号C23C14/58;C23C14/06;C23C14/24;C23C14/28;H01B12/06;H01B13/00;H01L39/24;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 23:31:55