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机译:覆盖层形成过程中利用温度变化方法堆叠垂直自组装量子点的方法
公开/公告号KR20040087588A
专利类型
公开/公告日2004-10-14
原文格式PDF
申请/专利权人 SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION;
申请/专利号KR20030022033
发明设计人 PARK GWANG MIN;YOON UI JUN;HWANG HUI DON;
申请日2003-04-08
分类号H01L21/20;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 22:47:50
机译: 提供在柔性基板,封装的量子点结构上的屏障层堆叠,用于在柔性基板上提供阻挡层堆叠的方法和用于封装量子点结构的方法
机译: 间隔层生长步骤中温度交替变化对自组装量子点的垂直堆积方法
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