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METHOD FOR DIFFUSING DOPANT INTO SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FROM SOLID DOPANT SOURCE

机译:从固体掺杂源将掺杂剂扩散到半导体基质中的方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for diffusing a dopant into a semiconductor substrate from a solid dopant source capable of making a diffused dopant amount uniform in the diffusion of the dopant into the semiconductor substrate.;SOLUTION: One through-hole is formed in a disk-shaped solid dopant source, so that, when gas is introduced through a gas inlet port of a diffusion tube, the introduced gas also flows from the one through-hole formed in the solid dopant source.;COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
机译:解决的问题:提供一种从固体掺杂剂源向半导体衬底中扩散掺杂剂的方法,该方法能够使掺杂剂向半导体衬底中扩散时的扩散掺杂剂量均匀。解决方案:形成一个通孔在盘形固体掺杂剂源中,当气体通过扩散管的进气口引入时,引入的气体也从形成在固体掺杂剂源中的一个通孔中流出。 2005年,日本特许厅

著录项

  • 公开/公告号JP2005175194A

    专利类型

  • 公开/公告日2005-06-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD;

    申请/专利号JP20030413005

  • 发明设计人 GUNJI HIROYUKI;

    申请日2003-12-11

  • 分类号H01L21/223;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 22:32:09

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