解决方案:该方法包括以下步骤:在半导体衬底21上形成第一绝缘膜24;形成穿透第一绝缘膜24并与半导体衬底21的一部分接触的存储节点接触;形成层压结构。下电极32A和将要连接到存储节点的硬掩模的第一接触在第一绝缘膜24上形成,并且在包括层压结构的整个表面上形成用于形成第二绝缘膜的层的膜。该方法还包括以下步骤:通过抛光和平坦化用于形成第二绝缘膜的层直到暴露出硬掩模的表面,从而暴露位于第二电极的表面下方的下部电极32A的表面,从而形成第二绝缘膜34A。通过选择性地去除硬掩模,并在下电极32A和第二绝缘膜34A上依次形成铁电膜35和上电极36,从而形成绝缘膜34A。
版权:(C)2005,JPO&NCIPI
公开/公告号JP2005026669A
专利类型
公开/公告日2005-01-27
原文格式PDF
申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC;
申请/专利号JP20040107840
发明设计人 KWEON SOON YONG;
申请日2004-03-31
分类号H01L27/105;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 22:31:54