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公开/公告号CN1728399A
专利类型发明专利
公开/公告日2006-02-01
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN200410103884.X
发明设计人 申尚旻;金锡必;朴永洙;李正贤;具俊谟;
申请日2004-11-20
分类号H01L29/00;H01L27/10;H01L21/28;H01L21/316;H01L21/82;H01G4/33;H01G4/008;H01G4/08;
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人张平元
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-12-17 16:59:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-10-07
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-05-02
实质审查的生效
2006-02-01
公开
机译: 具有Ir-Ru合金电极的铁电电容器和铁电存储器及其制造方法
机译:通过对La掺杂的Pb(Zr,Ti)O_3铁电电容器采用Pt / AlO_x底部电极来提高铁电随机存取存储器的制造裕度
机译:通过使用La掺杂的锆钛酸钛酸铅电容器的Pt底部电极的AlO_x底层来实现具有高电性能和高成品率的铁电随机存取存储器
机译:高密度铁电存储器中具有各种导电壁垒的PtRhO_x电极上PZT薄膜电容器的制备
机译:聚偏二氟乙烯-三氟氯乙烯薄膜中的铁电极化和具有低聚噻吩单晶的非易失性铁电存储器
机译:铁电/电极接口:非易失性存储器中PZT电容器的极化切换和可靠性
机译:自顶向下的方法来制造具有分层结构的自立式生物碳超级电容器电极
机译:具有石墨烯电极的铁电电容器纳米域工程
机译:现场强制反铁电对铁电相变介质和脉冲放电电容器弛豫铁电体的评价