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Negative drop voltage generator in semiconductor memory device and method of controlling negative voltage generation

机译:半导体存储器件中的负压降产生器和控制负压产生的方法

摘要

In the negative drop voltage generating apparatus of a semiconductor memory device and the method of controlling a negative voltage generation. The apparatus generates a negative voltage having a level necessary for an operating mode in the semiconductor memory device. The apparatus includes a negative drop voltage generator having first and second output terminals and a voltage separated/integrated unit connected between the first and second output terminals of the negative drop voltage generator. The voltage separated/integrated unit performs a voltage separation and connection so that the negative voltages are generated with individually different levels or with the same level through the first and second output terminals, in response to an applied control signal.
机译:在半导体存储器件的负压降产生装置中以及控制负压产生的方法。该装置在半导体存储器件中产生具有操作模式所需的电平的负电压。该设备包括具有第一和第二输出端子的负降电压发生器以及连接在负降电压发生器的第一和第二输出端子之间的电压分离/积分单元。电压分离/积分单元执行电压分离和连接,从而响应于施加的控制信号,通过第一和第二输出端子产生具有单独不同电平或具有相同电平的负电压。

著录项

  • 公开/公告号US2005047221A1

    专利类型

  • 公开/公告日2005-03-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JONG-HYUN CHOI;YOUNG-HUN SEO;

    申请/专利号US20040923729

  • 发明设计人 JONG-HYUN CHOI;YOUNG-HUN SEO;

    申请日2004-08-24

  • 分类号G11C5/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 22:21:45

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