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Process window enhancement for deep trench spacer conservation

机译:增强工艺窗口,以节省深沟隔离物

摘要

In a process for manufacturing deep trench (32) memory cells, a method of enhancing the process window by better protecting the nitride spacer (52) prior to the process of stripping the pad nitride layer (38). The method also provides for the deposition of a nitride liner (64) and offers an additional advantage of not requiring the top shoulder (58) of the nitride spacer (52) to be over etched during its formation.
机译:在制造深沟槽( 32 )存储单元的过程中,一种方法是通过在剥离沟道之前更好地保护氮化物隔离层( 52 )来增强工艺窗口的方法垫氮化物层( 38 )。该方法还提供了氮化物衬里( 64 )的沉积,并具有不需要氮化物间隔物( 52 )在其形成过程中被过度蚀刻。

著录项

  • 公开/公告号US6825093B2

    专利类型

  • 公开/公告日2004-11-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;

    申请/专利号US20020243492

  • 发明设计人 ARND R. SCHOLZ;

    申请日2002-09-13

  • 分类号H01L213/31;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 22:19:31

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