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METHOD FOR THE ETCHING OF PERMEABLE MEMBRANES MADE FROM SEMICONDUCTOR MATERIALS USING MACRO- AND MESO-PORE ETCHING

机译:宏观和中孔刻蚀对半导体材料制成的可渗透膜进行刻蚀的方法

摘要

The invention relates to a method for the production of permeable membranes made from semiconductor materials, by electrochemical etching of macro-pores on a plane side of an essentially planar semiconductor, whereby mesopores are etched on the plane side of the semiconductor opposing the macropores.
机译:本发明涉及一种用于制造由半导体材料制成的可渗透膜的方法,该方法通过在基本平面的半导体的平面侧上对大孔进行电化学蚀刻,从而在与大孔相对的半导体的平面侧上蚀刻中孔。

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