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METHOD FOR SETTING SALICIDE UNFORMED REGION USING SALICIDE PREVENTING MASK

机译:使用防毒面具来设置防毒面具未定义区域的方法

摘要

Purpose: a kind of method is arranged to prevent the damage of a separation layer due to a self aligned polycide forming process, by using the self aligned polycide for preventing mask for the unfashioned region of a self aligned polycide to be arranged. Construction: the semiconductor structure system with an active layer (2) and a gate electrode (1) is provided. By using the self aligned polycide for preventing mask (3), the unfashioned region setting process of a self aligned polycide is performed in composite structure in addition to active layer and gate electrode. One salicide processes are performed on it.
机译:目的:通过使用自对准多晶硅化物来防止将要布置的自对准多晶硅化物的未形成区域的掩模,来布置一种防止由于自对准多晶硅化物形成工艺而引起的分离层损坏的方法。结构:提供具有有源层(2)和栅电极(1)的半导体结构系统。通过使用用于防止掩模(3)的自对准多晶硅化物,除了活性层和栅电极以外,还以复合结构进行自对准多晶硅化物的未形成区域设定处理。在其上执行一种自杀过程。

著录项

  • 公开/公告号KR20040100669A

    专利类型

  • 公开/公告日2004-12-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD.;

    申请/专利号KR20030033088

  • 发明设计人 KIM HYEONG SIK;

    申请日2003-05-23

  • 分类号H01L21/24;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 22:06:26

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