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Correction of erroneous patterns realised in thin layers by direct engraving, during the fabrication of integrated circuits and micro electronic mechanical systems

机译:在集成电路和微电子机械系统的制造过程中,通过直接雕刻在薄层中实现的错误图案的校正

摘要

The correction of an erroneous design realised in a first thin layer comprising a first engraved sub-layer (120) with the erroneous design and at least one second sub-layer (110) situated between a substrate (100) and the first sub-layer, consists of: (A) deposition of a second thin layer (300) on the first thin layer; (B) the direct engraving in the second thin layer of the desired correction; (C) engraving the second sub-layer across the first sub-layer.
机译:对在第一薄层中实现的错误设计的校正,该第一薄层包括具有错误设计的第一雕刻子层(120)和位于衬底(100)和第一子层之间的至少一个第二子层(110)包括:(A)在第一薄层上沉积第二薄层(300); (B)在第二薄层上直接雕刻所需的校正; (C)在第一子层上雕刻第二子层。

著录项

  • 公开/公告号FR2863772A1

    专利类型

  • 公开/公告日2005-06-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 COMMISSARIAT A LENERGIE ATOMIQUE;

    申请/专利号FR20030051067

  • 发明设计人 PAIN LAURENT;

    申请日2003-12-16

  • 分类号H01L21/308;B81C1/00;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-21 21:58:20

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