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PHOTOMASK STRUCTURE PROVIDING IMPROVED PHOTOLITHOGRAPHIC STEP WINDOW AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

机译:提供改进的光照相步骤窗的光掩模结构及其制造方法

摘要

PPROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photomask structure providing increased lithographic step windows for printing a sub-wavelength feature. PSOLUTION: The photomask structure providing an improved photolithographic step window and a method of manufacturing the same are provided. The photomask structure is formed by making: the photomask include a mask substrate transparent to exposure light of a prescribed wavelength, and a mask pattern formed on a surface of the mask substrate; the mask pattern include a first pattern of an image transmitted to a semiconductor substrate; the first pattern include the feature to be printed; and the feature to be printed include a feature not to be printed, which adjusts a phase and intensity of the exposure light. PCOPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
机译:

要解决的问题:提供一种光掩模结构,该光掩模结构提供用于印刷亚波长特征的增加的光刻台阶窗口。

解决方案:提供了提供改进的光刻步骤窗口的光掩模结构及其制造方法。通过以下方式形成光掩模结构:光掩模包括:掩模基板,其对规定波长的曝光光透明;以及掩模图案,形成在掩模基板的表面上;以及掩模图案包括透射到半导体衬底的图像的第一图案;第一个图案包括要打印的特征;待印刷的特征包括不印刷的特征,其调整曝光光的相位和强度。

版权:(C)2007,日本特许厅&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP2006301631A

    专利类型

  • 公开/公告日2006-11-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD;

    申请/专利号JP20060112544

  • 发明设计人 KIM HO-CHUL;

    申请日2006-04-14

  • 分类号G03F1/08;H01L21/027;G03F7/20;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 21:55:43

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