要解决的问题:提供一种用于设计半导体集成电路的方法,一种用于半导体集成电路的设计系统以及一种用于制造半导体集成电路的方法,通过该方法,光刻规则可以通过OPC进行检查和检查。可以在短时间内进行光学接近校正)问题,可以以高精度快速地解决随机缺陷的对策和系统性缺陷,并且可以提高成品率。
解决方案:该方法包括:通过标记装置261在多个图案的轮廓上放置多个标记的步骤;通过分组装置262将相邻标记分类为多个组并将这些组的信息存储在验证信息存储单元16中的步骤;关键点判定装置263从验证信息存储单元16中读出该组的信息,以基于该组中包括的标记数来确定图案的关键点并存储该判定结果的步骤。验证信息存储单元16中的临界点;关键点校正装置364从验证信息存储单元中读出判定结果以校正图案。
版权:(C)2006,JPO&NCIPI
公开/公告号JP2006126745A
专利类型
公开/公告日2006-05-18
原文格式PDF
申请/专利权人 TOSHIBA CORP;
申请/专利号JP20040318427
发明设计人 IKEUCHI ATSUHIKO;
申请日2004-11-01
分类号G03F1/08;G03F7/20;G06F17/50;H01L21/82;H01L21/027;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:55:37