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半导体集成电路及设计半导体集成电路的方法和设计系统

摘要

在有效抑制电迁移的同时,与传统半导体集成电路相比,能够减少互连宽度的半导体集成电路。输入单元101在互连信息存储单元104内存储互连信息。算术运算单元102通过访问互连信息存储单元104来获取互连信息,以及通过访问算术运算参数存储单元105来获取算术运算参数,以基于这些值来确定互连的宽度W。也就是说,以(电流i)1/3乘算术运算参数(常数)的方式来确定互连的宽度W,其中该电流流经互连。

著录项

  • 公开/公告号CN100338760C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2007-09-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 恩益禧电子股份有限公司;

    申请/专利号CN200510075441.9

  • 发明设计人 横川慎二;

    申请日2005-06-01

  • 分类号H01L21/82(20060101);H01L27/00(20060101);G06F17/50(20060101);

  • 代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人黄启行;穆德骏

  • 地址 日本神奈川

  • 入库时间 2022-08-23 08:59:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-07-22

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/82 授权公告日:20070919 终止日期:20140601 申请日:20050601

    专利权的终止

  • 2010-12-22

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/82 变更前: 变更后: 申请日:20050601

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2007-09-19

    授权

    授权

  • 2006-02-01

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-12-07

    公开

    公开

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