公开/公告号CN100338760C
专利类型发明授权
公开/公告日2007-09-19
原文格式PDF
申请/专利权人 恩益禧电子股份有限公司;
申请/专利号CN200510075441.9
发明设计人 横川慎二;
申请日2005-06-01
分类号H01L21/82(20060101);H01L27/00(20060101);G06F17/50(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人黄启行;穆德骏
地址 日本神奈川
入库时间 2022-08-23 08:59:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-07-22
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/82 授权公告日:20070919 终止日期:20140601 申请日:20050601
专利权的终止
2010-12-22
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/82 变更前: 变更后: 申请日:20050601
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2007-09-19
授权
授权
2006-02-01
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-12-07
公开
公开
机译: 半导体集成电路的设计方法,半导体集成电路的设计系统以及通过该设计方法设计的半导体集成电路
机译: 半导体集成电路设计方法,半导体集成电路设计系统和半导体集成电路制造方法
机译: 半导体集成电路的设计方法,半导体集成电路的设计系统以及制造半导体集成电路的方法