首页> 外国专利> IMAGE SENSOR WITH ENLARGED OUTWARD APPEARANCE OF MICROLENS AND METHOD FOR FABRICATION THEREOF

IMAGE SENSOR WITH ENLARGED OUTWARD APPEARANCE OF MICROLENS AND METHOD FOR FABRICATION THEREOF

机译:微透镜外观扩大的图像传感器及其制造方法

摘要

An image sensor with an enlarged outward appearance of a microlens and a method for fabricating the same are provided. The image sensor includes: a plurality of microlenses formed on a semiconductor substrate with a certain spacing distance; and a protection layer formed over the microlenses, wherein the protection layer includes a first oxide layer which is formed by a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method and a second oxide layer which is formed by a spin on glass (SOG) method over the first oxide layer to maintain sufficient step coverage over chasms between the microlenses.
机译:提供了具有微透镜的外观扩大的图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括:多个微透镜,其以一定的间隔距离形成在半导体基板上;以及以及在微透镜上形成的保护层,其中该保护层包括通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法形成的第一氧化物层和通过旋涂玻璃(SOG)方法形成的第二氧化物层。第一氧化物层在微透镜之间的凹坑上保持足够的台阶覆盖率。

著录项

  • 公开/公告号KR20060010879A

    专利类型

  • 公开/公告日2006-02-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD.;

    申请/专利号KR20040059459

  • 发明设计人 KIM SI BUM;

    申请日2004-07-29

  • 分类号H01L27/146;H01L31/10;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 21:26:40

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号