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Dual voltage single gate oxide I/O circuit with high voltage stress tolerance

机译:具有高耐压能力的双电压单栅极氧化物I / O电路

摘要

An I/O output circuit is disclosed for interfacing a first system operating at a first voltage with a second system operating at a second voltage higher than the first voltage. The I/O output circuit includes an output stage module having one or more PMOS transistors and one or more NMOS transistors for coupling with the second system. A switch module is coupled to the output stage module for selectively providing the PMOS and NMOS transistors with various gate biases. A feedback circuit is coupled between an I/O pad that couples the output stage module to the second system and the switch module for controlling the switch module to generate the gate biases in response to a voltage at the I/O pad, thereby ensuring voltages across gates of the PMOS and NMOS transistors to be within a predetermined range.
机译:公开了一种I / O输出电路,用于使以第一电压工作的第一系统与以高于第一电压的第二电压工作的第二系统接口。 I / O输出电路包括输出级模块,该输出级模块具有一个或多个PMOS晶体管和一个或多个NMOS晶体管,用于与第二系统耦合。开关模块耦合到输出级模块,以选择性地为PMOS和NMOS晶体管提供各种栅极偏置。反馈电路耦合在将输出级模块耦合到第二系统的I / O焊盘与用于响应于I / O焊盘上的电压来控制开关模块以产生栅极偏置的开关模块之间,从而确保电压在PMOS和NMOS晶体管的栅极之间的跨接在预定范围内。

著录项

  • 公开/公告号US2007247190A1

    专利类型

  • 公开/公告日2007-10-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KER-MIN CHEN;

    申请/专利号US20060397213

  • 发明设计人 KER-MIN CHEN;

    申请日2006-04-04

  • 分类号H03K19/0175;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 21:06:38

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