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机译:半导体微腔发光二极管
公开/公告号US2007096127A1
专利类型
公开/公告日2007-05-03
原文格式PDF
申请/专利权人 P. MORGAN PATTISON;RAJAT SHARMA;STEVEN P. DENBAARS;SHUJI NAKAMURA;
申请/专利号US20060510240
发明设计人 P. MORGAN PATTISON;RAJAT SHARMA;STEVEN P. DENBAARS;SHUJI NAKAMURA;
申请日2006-08-25
分类号H01L33;
国家 US
入库时间 2022-08-21 21:05:02
机译: 发光二极管,其制造方法,集成发光二极管,其制造方法,生长基于氮化物的III-V族化合物半导体的方法,用于生长基于氮化物的III-V族化合物半导体的基板,光源单元,光源二极管背光源和发光二极管照明设备,发光二极管显示器,电子设备,电子设备及其制造方法
机译: 具有包括硅纳米点的发光层的微小型半导体发光二极管,包括微小型半导体发光二极管的半导体发光二极管阵列以及制造半导体微粒的方法
机译: 发光二极管及其制造方法,集成的发光二极管及其制造方法,生长基于氮化物的III-V族化合物半导体的方法,用于生长基于氮化物的III-V族化合物,半导体的材料源电池单元,发光二极管背光源,发光二极管照明装置,发光二极管显示器和电子仪器,电子装置及其制造方法