机译:具有包括硅纳米点的发光层的微小型半导体发光二极管,包括微小型半导体发光二极管的半导体发光二极管阵列以及制造半导体微粒的方法
公开/公告号WO2008060053A1
专利类型
公开/公告日2008-05-22
原文格式PDF
申请/专利权人 ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE;HUH CHUL;SHIN JAEHEON;KIM KYUNG-HYUN;HONG JONGCHEOL;SUNG GUN-YONG;
申请/专利号WO2007KR05469
申请日2007-10-31
分类号H01L33/26;
国家 WO
入库时间 2022-08-21 19:59:18