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大功率半导体微腔发光二极管

摘要

大功率半导体微腔发光二极管,涉及一种发光管。提供一种可提高发光功率的大功率半导体微腔发光二极管。从下至上设有底部分布布拉格反射镜和腔区。分布布拉格反射镜是由两种折射率不同的材料以层厚为四分之一中心波长交替生长形成的。在腔区上可设有顶部分布布拉格反射镜,或顶部金属反射镜。提出一种用较少周期数(两种折射率不同的半导体材料层厚各为四分之一中心波长叠加后厚度为二分之一中心波长定为一个周期)的DBR得到较高反射率的方法,两种折射率不同的半导体材料由于晶格失配和热膨胀系数失配导致构成的DBR表面出现裂痕影响随后腔区晶体质量的可能性减少。

著录项

  • 公开/公告号CN101478025A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-07-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 厦门大学;

    申请/专利号CN200910110947.7

  • 申请日2009-01-22

  • 分类号

  • 代理机构厦门南强之路专利事务所;

  • 代理人马应森

  • 地址 361005 福建省厦门市思明南路422号

  • 入库时间 2023-12-17 22:18:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-07-13

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L33/00 公开日:20090708 申请日:20090122

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-09-02

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-07-08

    公开

    公开

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