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Method and structure for ridge waveguide quantum cascade laser with p-type overgrowth

机译：具有p型过生长的脊形波导量子级联激光器的方法和结构

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The performance characteristics of ridge waveguide QCL may be improved in accordance with the invention by replacing the insulating dielectric layers such as SiO₂, Si₃N₄or SiC with p-type InP overgrowth layers as well as p-type AlInAs or InGaAsP overgrowth layers, for example.

机译：根据本发明，可以通过代替绝缘介电层例如SiO _{2 ，Si _{3 N _{4 或具有p型InP过度生长层以及p型AlInAs或InGaAsP过度生长层的SiC。}}}

著录项

公开/公告号US2007030870A1

专利类型
公开/公告日2007-02-08

原文格式PDF
申请/专利权人 DAVID P. BOUR;SCOTT W. CORZINE;
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申请/专利号US20050191773
发明设计人 DAVID P. BOUR;SCOTT W. CORZINE;
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申请日2005-07-27
分类号H01S5/00;
国家 US
入库时间 2022-08-21 21:02:03

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