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机译:基于极化反转层的光发射氮化镓基III-V族复合半导体器件
公开/公告号IN2005KO00832A
专利类型
公开/公告日2007-01-12
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号IN832/KOL/2005
发明设计人
申请日2005-09-12
分类号
国家 IN
入库时间 2022-08-21 20:58:09
机译: 基于极化反转层的光发射氮化镓基III-V族复合半导体器件
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