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PROTORESIST STRIP USING SOLVENT VAPOR

机译:使用溶剂蒸气的原条

摘要

In accordance with one embodiment of the invention, photoresist is removed from a wafer or substrate during various stages of processing by introducing a solvent vapor, along with heat, into the processing chamber. The solvent vapor chemically reacts with the photoresist to quickly and cleanly strip away the exposed photoresist.
机译:根据本发明的一个实施例,在处理的各个阶段中,通过将溶剂蒸气以及热量一起引入到处理室中,从晶片或衬底上去除光致抗蚀剂。溶剂蒸气与光致抗蚀剂发生化学反应,以快速,干净地剥离曝光的光致抗蚀剂。

著录项

  • 公开/公告号WO2006062795A3

    专利类型

  • 公开/公告日2007-05-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 WAFERMASTERS INC.;YOO WOO SIK;

    申请/专利号WO2005US43384

  • 发明设计人 YOO WOO SIK;

    申请日2005-11-30

  • 分类号H01L21/311;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-21 20:52:24

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