首页> 外国专利> Metode for initiell oppstarting av reaksjonen ved direkteklorering av silisium metall eller et silisiumholdig materiale ved en lav temperatur

Metode for initiell oppstarting av reaksjonen ved direkteklorering av silisium metall eller et silisiumholdig materiale ved en lav temperatur

机译:通过在低温下直接氯化硅金属或含硅材料来初始启动反应的方法

摘要

Fremgangsmåte til oppstart av reaksjonen for produksjon av silisiumtetraklorid ved at silisiummetall, ferrosilisium, silisiumoksyd og/eller silisiumkarbid reagerer med klorid i reaktorer med virvelsjikt, stasjonært sjikt eller oppløselig sjikt. Temperaturen ved begynnelsen av kloreringen (tenning) ligger på eller nær romtemperatur, slik at en liten mengde av en tenn- eller reaksjonsstartsubstans som for eksempel en legering og/eller en forbindelse som lett reagerer eksotermt med klor ved eller nær romtemperatur, øker temperaturen i silisiumet eller det silisiumholdige materialet i omgivelsene til over kloreringstenntemperaturen for silisiumet eller det silisiumholdige stoffet.
机译:用于开始生产四氯化硅的反应的方法,其中在具有流化床,固定床或可溶床的反应器中,金属硅,硅铁,氧化硅和/或碳化硅与氯化物反应。氯化(点火)开始时的温度为室温或接近室温,因此,少量的点火或反应起始物质(例如合金和/或易于在室温或接近室温下与氯发生放热反应的化合物)会提高硅的温度或环境中的含硅材料的温度高于硅或含硅物质的氯气着火温度。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号