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LOW TRIGGERING N MOS TRANSISTOR FOR ESD PROTECTION WORKING UNDER FULLY SILICIDED PROCESS WITHOUT SILICIDE BLOCKS

机译：低触发N MOS晶体管，可在没有硅化物阻挡的完全硅化过程下进行ESD保护工作

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LOW TRIGGERING N MOS TRANSISTOR FOR ESD PROTECTION WORKING UNDER FULLY SILICIDED PROCESS WITHOUT SILICIDE BLOCKS
机译：低触发N MOS晶体管，可在没有硅化物阻挡的完全硅化过程下进行ESD保护工作

著录项

  • 公开/公告号SG146446A1

    专利类型

  • 公开/公告日2008-10-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NANO SILICON PTE. LTD.;

    申请/专利号SG20060036263

  • 发明设计人 CAI JUN;HU DAVID;

    申请日2002-02-15

  • 分类号H01L23/62;

  • 国家 SG

  • 入库时间 2022-08-21 20:05:36

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