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Image sensor and pixel having an anti-reflective coating over the photodiode

机译:在光电二极管上具有抗反射涂层的图像传感器和像素

摘要

A pixel for use in CMOS or CCD image sensors is disclosed. The pixel includes a light sensitive element, such as a photodiode, formed in a semiconductor substrate. An anti-reflective coating is formed over the photodiode to reduce reflection of incident light. The reduced reflection results in greater "signal" reaching the photodiode.
机译:公开了一种用于CMOS或CCD图像传感器的像素。像素包括形成在半导体衬底中的光敏元件,例如光电二极管。在光电二极管上形成抗反射涂层,以减少入射光的反射。减少的反射导致更大的“信号”到达光电二极管。

著录项

  • 公开/公告号EP1655780A3

    专利类型

  • 公开/公告日2008-03-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 OMNIVISION TECHNOLOGIES INC.;

    申请/专利号EP20050256688

  • 发明设计人 RHODES HOWARD E.;

    申请日2005-10-28

  • 分类号H01L27/146;H01L31/0216;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 19:58:22

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