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A method for fabricating a micro structures with multi differential gap on silicon substrate

机译:在硅衬底上制造具有多微分间隙的微结构的方法

摘要

A method of forming a micro structure with vertical step height on a silicon substrate is provided to float the micro structure by forming the vertical step height and subjecting the substrate to wet etching. A first mask layer(120) is formed on a single crystal silicon substrate, and then a second mask layer is formed on the substrate. The substrate is etched by using the first or second mask layer. The mask layer is removed, and the substrate is etched by using the first mask layer to form a trench. A protective layer(140) is formed on a sidewall of the trench. The substrate is further etched by using the first mask and the protective layer as a mask. The substrate is subjected to wet etching to form a cavity on a bottom surface of the trench.
机译:提供了一种在硅衬底上形成具有垂直台阶高度的微结构的方法,以通过形成垂直台阶高度并对衬底进行湿蚀刻来使微结构浮起。在单晶硅衬底上形成第一掩模层(120),然后在衬底上形成第二掩模层。通过使用第一掩模层或第二掩模层来蚀刻衬底。去除掩模层,并且通过使用第一掩模层蚀刻衬底以形成沟槽。在沟槽的侧壁上形成保护层(140)。通过使用第一掩模和保护层作为掩模进一步蚀刻衬底。对该基板进行湿蚀刻以在沟槽的底表面上形成腔。

著录项

  • 公开/公告号KR100817813B1

    专利类型

  • 公开/公告日2008-03-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20060046517

  • 发明设计人 조동일;최병두;백승준;

    申请日2006-05-24

  • 分类号H01L21/027;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 19:52:16

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