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Wafer backside Metal layer routing method, structure of the same, chip package stacking method, and chip package stacking structure thereof

机译:晶片背面金属层布线方法,其结构,芯片封装堆叠方法及其芯片封装堆叠结构

摘要

A structure for stacking a chip package is provided to avoid generation of a void trap by forming a metal interconnection in an etched recessed pattern by laser. A semiconductor chip is formed in a wafer(301). A plurality of recessed pattern parts are recessed in the backside of the wafer. A lower insulation layer(341) is formed on the backside of the wafer, positioned in a portion except the recessed pattern part in contact with a wafer in its adjacent layer. A passivation layer(311) is formed in the recessed part of the recessed pattern part, and metal is filled in the passivation layer. The recessed pattern part can be formed by an etch process using laser.
机译:提供一种用于堆叠芯片封装的结构,以通过通过激光在蚀刻的凹陷图案中形成金属互连来避免空隙陷阱的产生。在晶片(301)中形成半导体芯片。多个凹陷的图案部分在晶片的背面凹陷。在晶片的背面上形成下部绝缘层(341),该下部绝缘层位于除凹陷图案部分之外的与晶片的相邻层中的晶片接触的部分中。在凹进的图案部分的凹进部分中形成钝化层(311),并且在钝化层中填充金属。凹陷图案部分可以通过使用激光的蚀刻工艺形成。

著录项

  • 公开/公告号KR100843211B1

    专利类型

  • 公开/公告日2008-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20060116582

  • 发明设计人 박명순;이호진;오용태;이인영;

    申请日2006-11-23

  • 分类号H01L23/48;H01L23/12;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 19:51:53

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