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Multiple quantum well structure, radiation-emitting semiconductor body and a radiation-emitting component

机译:多量子阱结构,发射辐射的半导体本体和发射辐射的组件

摘要

What is described is a multiple quantum well structure (1), the at least one first quantum well structure (2a) for the generation of radiation of a first wavelength (6) and at least one second quantum well structure (2b) for the generation of radiation of a second wavelength (7), which is greater than the first wavelength (6), and the to the emission of radiation of a principal wavelength (14) is provided, wherein the second wavelength (7) in such a way of the first wavelength (6), that the principal wavelength (14) in the case of a displacement of the first wavelength (6) and the second wavelength (7) by a predetermined maximum value changes only. Furthermore, a radiation-emitting semiconductor body and a radiation-emitting component described.
机译:描述了一种多量子阱结构(1),用于产生第一波长(6)的辐射的至少一个第一量子阱结构(2a)和用于产生第一波长的辐射的至少一个第二量子阱结构(2b)。提供大于第一波长(6)的第二波长(7)的辐射,并提供主波长(14)的辐射的发射,其中第二波长(7)以这样的方式在第一波长(6)中,在第一波长(6)和第二波长(7)偏移预定最大值的情况下,主波长(14)仅改变。此外,描述了发射辐射的半导体本体和发射辐射的组件。

著录项

  • 公开/公告号DE102006025964A1

    专利类型

  • 公开/公告日2007-12-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号DE20061025964

  • 发明设计人

    申请日2006-06-02

  • 分类号H01L33/00;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 19:49:55

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