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多量子阱结构、发射辐射的半导体本体和发射辐射的器件

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本发明描述了一种多量子阱结构(1)，所述多量子阱结构包括至少一个第一量子阱结构(2a)用于产生第一波长(6)的辐射，以及至少一个第二量子阱结构(2b)用于产生第二波长(7)的辐射，该第二波长(7)大于第一波长(6)，并且所述多量子阱结构设计用于发射主波长(14)的辐射，其中第二波长(7)与第一波长(6)相区别，使得主波长(14)在第一波长(6)和第二波长(7)推移时仅仅改变预先给定的最大值。此外描述了一种发射辐射的半导体本体和一种发射辐射的器件。

著录项

公开/公告号CN101461069A

专利类型发明专利
公开/公告日2009-06-17

原文格式PDF
申请/专利权人奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司;
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申请/专利号CN200780020411.5
发明设计人彼得·施陶斯;
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申请日2007-05-04
分类号H01L33/00;
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人王萍
地址德国雷根斯堡
入库时间 2023-12-17 22:06:15

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-04-18

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L33/00 公开日:20090617 申请日:20070504

发明专利申请公布后的视为撤回
2009-08-12

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-06-17

公开

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专利
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外文文献

1. 多量子阱结构、发射辐射的半导体本体和发射辐射的器件 [P] . 中国专利： CN101461069A . 2009-06-17
2. 发射辐射的半导体本体、用于制造发射辐射的半导体本体的方法和发射辐射的半导体器件 [P] . 中国专利： CN102934244A . 2013-02-13
3. Multiple quantum well structure, radiation-emitting semiconductor body and a radiation-emitting component [P] . 德国专利： DE102006025964A1 . 2007-12-06

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