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MULTIPLE QUANTUM-WELL STRUCTURE, RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR BASE AND RADIATION-EMITTING COMPONENT

机译:多量子阱结构,辐射辐射半导体基体和辐射辐射组件

摘要

Disclosed is a multiple quantum-well structure (1), which comprises at least a first quantum-well structure (2a) for generating radiation of a first wavelength (6) and at least a second quantum-well structure (2b) for generating radiation of a second wavelength (7) that is greater than the first wavelength (6), and which is intended for emission of radiation of a primary wavelength (14), wherein the second wavelength (7) differs from the first wavelength (6) in such a way that the primary wavelength (14) changes only by a specified maximum value on occurrence of a shift in the first wavelength (6) and the second wavelength (7). Additionally, a radiation-emitting semiconductor base and a radiation-emitting component are disclosed.
机译:公开了一种多量子阱结构(1),其包括至少一个用于产生第一波长(6)的辐射的第一量子阱结构(2a)和至少一个用于产生辐射的第二量子阱结构(2b)。第二波长(7)的第二波长大于第一波长(6),并且用于发射主波长(14)的辐射,其中第二波长(7)与第一波长(6)不同。这样,当第一波长(6)和第二波长(7)发生偏移时,主波长(14)仅改变指定的最大值。另外,公开了发射辐射的半导体基体和发射辐射的部件。

著录项

  • 公开/公告号KR20090018688A

    专利类型

  • 公开/公告日2009-02-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH;

    申请/专利号KR20087032251

  • 发明设计人 STAUSS PETER;

    申请日2008-12-31

  • 分类号H01L33/00;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 19:13:57

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