要解决的问题:提供不易弯曲且散热效率优异的基板,并提供功率半导体模块。
解决方案:公开了功率半导体模块1。一个实施例包括具有多个金属层11、12和13以及多个陶瓷层21和22的多层基板3,其中陶瓷层位于金属层之间。功率半导体模块1可以在多层基板3在前的情况下直接压在散热器9上。
版权:(C)2009,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2009044152A
专利类型
公开/公告日2009-02-26
原文格式PDF
申请/专利权人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;
申请/专利号JP20080202787
发明设计人 BAYERER REINHOLD;
申请日2008-08-06
分类号H01L25/07;H01L25/18;H01L23/12;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 19:40:47